APCVD-System

Das APCVD-System der 5500 Serie eignet sich hervorragend für die kontinuierliche und kostengünstige Beschichtung von Substraten, die ein- als auch mehrlagige Dünnschichten benötigen. SCHMID’s Inline-System sorgt dafür, dass jedes Substrat die gleiche Prozessbehandlung erhält. Die präzise, energiesparende Schichtabscheidung garantiert eine unvergleichlich hohe Wirtschaftlichkeit.


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Kostengünstige Inline-Abscheidung von Dünnschichten

Das bewährte APCVD-System von SCHMID umfasst mehrere Injektorköpfe in Reihe, die den Durchsatz, die Gleichmäßigkeit und die Flexibilität erhöhen – und gleichzeitig die Kosten senken. Das geniale HMI ermöglicht dem Bediener eine einfache Überwachung und Steuerung aller Prozessparameter in einer benutzerfreundlichen Touchscreen-Umgebung.

Das wartungsfreundliche Design erlaubt es, die Chemie-Injektoren und Abluftleitungen des Durchlaufofens ohne signifikante Prozessunterbrechung zu reinigen. Die modular aufgebauten Injektorkopf-Baugruppen der Beschichtungskammer können schnell und einfach montiert bzw. demontiert werden. Die Injektorköpfe bestehen aus langlebigen Präzisionsteilen, die auch nach langem Gebrauch noch eine exakte Chemieverteilung sicherstellen.

Das APCVD-System von SCHMID verkörpert die konstengünstigste Möglichkeit zur Dünnschichtabscheidung. Beim Rollentransport wird während des Prozesses lediglich das Substrat erhitzt, wodurch sich der Bedarf an Strom und Kühlung stark reduziert. In einem einzigen APCVD-System können mehrere Injektorköpfe in Reihe eingesetzt werden. Drei Schichten abgestufter, energiesparender Isolierung reduzieren die Stromrechnung noch weiter. Das Inline-System ist in zwei Ausführungen erhältlich: Mit Band- oder mit Rollentransport. Jede Transportmethode hat ihre Vorteile.

Thermische Anlagen von SCHMID sind bekannt für ihre Prozessstabilität; das APCVD-System setzt diese Tradition fort. Die stabile, unübertroffen gleichmäßige Temperaturführung sorgt für konsistente Prozessergebnisse. Darüber hinaus garantieren präzise Abscheidungs- und Durchflussmesser eine gleichbleibende Beschichtungsquälität.

Anwendungen:

  • Undotiertes SiO2 (USG)
  • Bordotiertes SiO2 (BSG)
  • Phosphordotiertes SiO2 (PSG)
  • TiO2

 

  • Atmosphärischer Prozess, perfekt geeignet zur Dotierung von n-Typ Solarzellen mit Bor
  • Niedrigste Betriebskosten aufgrund geringer Anforderungen an die Infrastruktur
  • Bedienerfreundliches Design: Zugang zum Innenraum auf Knopfdruck
  • Kleine Stellfläche
  • Bewährt in der Massenproduktion
  • Geniales HMI mit Touchscreen und integriertem Profil-, Daten- und Ereignisprotokoll

Abmessungen (LxBxH):

  • 3 x 1.9 x 2.3 m (Rollentransport)

Konfiguration der Beschichtungskammern:

  • Rollentransport: 2 unabhängige Beschichtungskammern
  • Bandtransport: 3 oder 5 unabhängige Beschichtungskammern
  • Jede Kammer kann zur Abscheidung jeglicher verfügbarer Dünnschicht genutzt werden

Loading:

  • 156 – 161,7 mm c-Si Wafer (andere Substrate sind möglich)
  • Rollentransport: 5 Spuren
  • Bandtransport: 4 Spuren

Durchsatz:

  • 1450 – 4500 Wafer/h (abhängig von der Beschichtungsdicke)