Alkaline Edge Isolation + Polishing

Das Alkaline Edge Isolation Inline-System erreicht eine perfekte Kantenisolation mit einer alkalischen Lösung statt mit schwer handhabbarer Salpetersäure (HNO3). Der Effekt: Niedrigere Prozesskosten und kein umweltschädliches Stickoxid (NOX), das teuer entsorgt werden muss. Zusätzlich kann die Anlage zur Politur der Waferrückseite eingesetzt werden.


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Kantenisolation und Politur ohne Stickoxidemissionen

Das Alkaline Edge Isolation Inline-System vereint mehrere Prozesschritte in einer modular aufgebauten Anlage. Zum einen wird die im Diffusionsprozess auf der Waferrückseite entstandene Emitterschicht von der Vorderseite des Wafers einseitig isoliert, um Fehlfunktionen der Solarzelle zu vermeiden. Zum anderen wird das Phosphorsilikatglas (PSG) von der Waferoberfläche entfernt.

Mit dem Alkaline Edge Isolation Inline-System hat SCHMID das weltweit einzige System zur Kantenisolation im Portfolio, das komplett ohne Salpetersäure (HNO3) auskommt. Statt der teuren Säure wird alkalische Kalilauge (KOH) eingesetzt. Die offensichtlichen Vorteile: Es entsteht kein Stickoxid (NOX), das aufwendig abgesaugt und anschließend teuer entsorgt werden muss. Dadurch sind immer strengere Umweltauflagen leicht einzuhalten. Zudem sorgt die Prozessführung bei etwa 90 °C für eine hohe Ätzrate und damit für einen kleinen Footprint der Anlage.

Während der Kantenisolation wird der Emitter durch die von SCHMID entwickelte und patentierte Wassermaske geschützt. Spezielle Transportrollen gewährleisten, dass die Chemie ausschließlich mit der Rückseite in Kontakt kommt und dadurch der Chemieverbrauch sinkt. Zusätzlich kann der Prozess zur Rückseitenpolitur von Hocheffizienzzellen wie PERC verwendet werden. Damit ermöglicht der Prozess neben deutlichen Kosteneinsparungen auch noch weitere Leistungssteigerungen.

  • Deutlich niedrigere Chemiekosten als bei saurem Prozess
  • NOX-freier Prozess erfüllt strenge Umweltauflagen
  • Kantenisolation und Politur für Hocheffizienz-Zellen (z. B. PERC) in einer Anlage
  • Patentierte Wassermaske
  • Stabiler Prozess ohne Kühlmittel
  • Kürzeste Wartungszeiten durch gute Zugänglichkeit und einfache Reinigung

Durchsatz:

  • 3.600 Wafer/h (5 Spuren)
  • 7.200 Wafer/h (10 Spuren)
  • Weitere Durchsätze konfigurierbar

Wafergröße:

  • 156 – 161,7 mm

Bruchrate:

  • < 0,1 %

Prozessmedien:

  • HF
  • KOH

Automation:

  • Optionaler Be- und Entlader