Edge Isolation + PSG Etching

Das Edge Isolation + PSG Etching Inline-System erreicht vollautomatisch eine perfekte Kantenisolation. Das von SCHMID speziell für die Kantenisolation entwickelte Transportsystem sorgt für einen geringen Chemieverbrauch. In Kombination mit der patentierten Wassermaske wird der Emitter optimal isoliert.


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Einseitige Kantenisolation für maximale Effizienz

Das Edge Isolation + PSG Etching Inline-System vereint mehrere Prozesschritte in einer modular aufgebauten Anlage. Zum einen wird die im Diffusionsprozess auf der Waferrückseite entstandene Emitterschicht von der Vorderseite des Wafers einseitig isoliert, um Fehlfunktionen der Solarzelle zu vermeiden. Zum anderen wird das Phosphorsilikatglas (PSG) von der Waferoberfläche entfernt.

Während der Kantenisolation wird der Emitter durch die von SCHMID entwickelte und patentierte Wassermaske geschützt. Spezielle, profilierte Transportrollen gewährleisten, dass die Chemie ausschließlich mit der Rückseite in Kontakt kommt und dadurch wenig Chemie verbraucht wird.

Für das Ätzen des Phosphorsilikatglases werden anstatt von Wellen, die mit O-Ringen bestückt sind, spezielle Niederhalterwellen eingesetzt. Diese hinterlassen keine Abdrücke auf den Wafern. Zudem ermöglicht der modifizierte Vorschub eine einfache Reinigung der Wellen. Eine organische Verschmutzung der Wafer durch das Transportsystem ist damit ausgeschlossen.

Für eine minimale Verschleppung sorgt das Spülen zwischen den einzelnen Prozessschritten. SCHMID’s Mehrfach-Kaskadentechnologie verringert den Verbrauch von DI-Wasser. Durch den modularen Aufbau des Inline-Systems können der Durchsatz und die Prozessschritte kundenspezifisch angepasst werden. Zusätzlich sind spezielle Reinigungsprozesse für PERC-Zellen verfügbar.

  • Minimale Verschleppung
  • Patentierte Wassermaske
  • Stabiler Prozess ohne Kühlmittel
  • Kürzeste Wartungszeiten durch gute Zugänglichkeit und einfache Reinigung
  • Spezielle Reinigungsprozesse für PERC-Zellen verfügbar
  • Kombinierbar mit selektiver Emitter Technologie

Durchsatz:

  • 3.600 Wafer/h (5 Spuren)
  • 7.200 Wafer/h (10 Spuren)
  • Weitere Durchsätze konfigurierbar

Wafergröße:

  • 156 – 161,7 mm

Bruchrate:

  • < 0,1 %

Prozessmedien:

  • HF
  • KOH
  • HNO3

Automation:

  • Optionaler Be- und Entlader