Bei diesem kombinierten Druck- und Ätzverfahren wird die hohe Phosphor-Dotierung auf der Zelle selektiv geätzt und nur dort erhalten, wo anschließend Kontakte aufgedruckt werden. Dafür wird eine Wachsmaske im Inkjet-Verfahren aufgetragen.

Alle weiteren Ätzprozesse und Wachs-Strippprozesse übernimmt die nasschemische Anlage, die für ein bestmögliches Kosten-Nutzen-Verhältnis zusätzlich mit Modulen zur Kantenisolation und zum PSG-Ätzen ausgestattet werden kann.

  • Selective-Emitter-Design führt zu drastischer Reduzierung der elektrischen Verluste auf der Frontseite
  • Zellwirkungsgrad steigt um bis zu 0,4 %
  • Einfache Inline-Verknüpfung von Inkjet-Druck mit Folgeprozessen wie Kantenisolierung und Phosphorglasätzen
  • Prozesscluster mit einem Durchsatz von 2.200, 4.400 oder 6.600 Wafer/h verfügbar
  • Exzellente Prozessstabilität in der Massenproduktion
  • Einfaches Upgrade bestehender Zelllinien
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