CMP – made by SCHMID

Chemisch-mechanisches Polieren

Die neuartige chemisch-mechanische Polieranlage (CMP) von SCHMID für große Substrate hat sich aus der Welt der Halbleiter in der Leiterplattenherstellung als entscheidender Schritt für die nächste Generation von mehrlagigen Platten und Substraten etabliert. Um eine globale Oberflächenpolitur des plattierten Kupfers mit hervorragender Gleichmäßigkeit zu erreichen, wird ein stets gut definierter Formfaktor des Dielektrikums sowie der Kupferlinien, -ebenen und -durchkontaktierungen erzielt.

Produktvorteile

Lösung für hochwertige HDI+- und IC-Substrate mit Strukturen bis zu 2μm

Klassenbester Prozess, der Materialflexibilität mit Gleichmäßigkeit der Nivellierung kombiniert

Praxiserprobte Lösung für große Substrate bis zu 25" x 25"

Bietet ein neues Universum für das PCB-Design in Kombination mit der SCHMID Embedded Trace Technologie

Einzelheiten

Die Oscar-Polieranlage erzielt die schnellste Planarisierung mit minimalem Abtrag für alle Arten von Kupferkristallstrukturen. Zusammen mit dem Prozess-Know-how von SCHMID liefert CMP einen optimalen Polierprozess, der zu einer perfekten Synergie zwischen Gleichmäßigkeit und Abtragsrate führt.

Insbesondere bei neuen Verfahren wie eingebetteten Leiterbahnen, HAR (hohes Aspektverhältnis) via Füllung oder mSAP/SAP ist CMP ein Schlüssel zu hohem Ertrag und Zugang zu neuen Epoxidmaterialien mit niedrigem DK (Dieleektrizitätskonstante).

Der CMP als Teil der SCHMID Embedded Trace Technologie unterstützt alle Anforderungen für Industrie 4.0. Es stehen verschiedene Schnittstellen zum MES des Kunden zur Verfügung. Die webbasierte HMI ermöglicht die Bedienung und Steuerung des Systems von verschiedenen Geräten aus.

Technische Daten

Kopf: Ø 930 mm, 30-100 U/min, max. 1450 kg, ±15° Schwenkbereich bei 0-5 U/min

Walze: Ø 1300 mm, 30-100 U/min mit Kühlstruktur

Pumpen: 2 Feststoff-Pumpen für separate Feststoff-Versorgung, je 0,980 l/min

Be- und Entladen: manuell, Dry-in/Wet-out

Aufbereiter: Schwingarm-Nylonbürste

Steuerung: PLC & Touchscreen

Aufbau: Einfach, robust und mit hoher Steifigkeit

High uniformity: NU < 10 %

Repeatability: WTWNU < 7 %

Planarisierungsfaktor: ~ 2

Abtragsrate: ~3μm/min

Dishing: <2μm

Arbeitsgröße: Max. 915 mm (36 Zoll) Ø

Abmessungen: 2600 x 2700 x 2500 mm (B x T x H)

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