Chemisch-mechanisches Polieren
Die neuartige chemisch-mechanische Polieranlage (CMP) von SCHMID für große Substrate hat sich aus der Welt der Halbleiter in der Leiterplattenherstellung als entscheidender Schritt für die nächste Generation von mehrlagigen Platten und Substraten etabliert. Um eine globale Oberflächenpolitur des plattierten Kupfers mit hervorragender Gleichmäßigkeit zu erreichen, wird ein stets gut definierter Formfaktor des Dielektrikums sowie der Kupferlinien, -ebenen und -durchkontaktierungen erzielt.
Einzelheiten
Die Oscar-Polieranlage erzielt die schnellste Planarisierung mit minimalem Abtrag für alle Arten von Kupferkristallstrukturen. Zusammen mit dem Prozess-Know-how von SCHMID liefert CMP einen optimalen Polierprozess, der zu einer perfekten Synergie zwischen Gleichmäßigkeit und Abtragsrate führt.
Insbesondere bei neuen Verfahren wie eingebetteten Leiterbahnen, HAR (hohes Aspektverhältnis) via Füllung oder mSAP/SAP ist CMP ein Schlüssel zu hohem Ertrag und Zugang zu neuen Epoxidmaterialien mit niedrigem DK (Dieleektrizitätskonstante).
Der CMP als Teil der SCHMID Embedded Trace Technologie unterstützt alle Anforderungen für Industrie 4.0. Es stehen verschiedene Schnittstellen zum MES des Kunden zur Verfügung. Die webbasierte HMI ermöglicht die Bedienung und Steuerung des Systems von verschiedenen Geräten aus.
Technische Daten
Kopf: Ø 930 mm, 30-100 U/min, max. 1450 kg, ±15° Schwenkbereich bei 0-5 U/min
Walze: Ø 1300 mm, 30-100 U/min mit Kühlstruktur
Pumpen: 2 Feststoff-Pumpen für separate Feststoff-Versorgung, je 0,980 l/min
Be- und Entladen: manuell, Dry-in/Wet-out
Aufbereiter: Schwingarm-Nylonbürste
Steuerung: PLC & Touchscreen
Aufbau: Einfach, robust und mit hoher Steifigkeit
High uniformity: NU < 10 %
Repeatability: WTWNU < 7 %
Planarisierungsfaktor: ~ 2
Abtragsrate: ~3μm/min
Dishing: <2μm
Arbeitsgröße: Max. 915 mm (36 Zoll) Ø
Abmessungen: 2600 x 2700 x 2500 mm (B x T x H)
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