Poly-Silizium- und BSG-Ätzen

Einzelheiten

Das alkalische Poly-Si- und BSG-Ätz-Inline-System kombiniert mehrere Prozessschritte in einem modularen System. Zum einen wird die während des Poly-Si-Prozesses auf der Vorderseite des Wafers entstandene Poly-Silizium-Verwerfung einseitig von der Vorderseite des Wafers isoliert, gefolgt von einer Borosilikat- oder Phosphorglasentfernung.

Mit dem Poly-Si- und BSG-Ätz-Inline-System hat SCHMID eine perfekte Lösung für die Reinigung der Vorderseite einer TOPCon Zelle vor der Passivierung und Antireflexbeschichtung mit geringstem Chemikalienverbrauch im Portfolio.

Dank des Inline-Konzepts wird eine hervorragende Gleichmäßigkeit zwischen den einzelnen Wafern erreicht und es können Waferdicken bis zu 100μm verarbeitet werden. Darüber hinaus gewährleistet die Verarbeitung bei ca. 80 °C eine hohe Ätz-Rate und somit einen geringen Platzbedarf des Systems. Sowohl bei der Poly-Si-Entfernung als auch bei der Entfernung von dotiertem Glas wird das rückwärtige Poly-Si und Tunneloxid durch die von SCHMID entwickelte und patentierte Wassermaske geschützt.

Spezielle Transportrollen sorgen dafür, dass die Chemie ausschließlich mit der Vorderseite in Kontakt kommt, wodurch der Chemieverbrauch reduziert wird. Darüber hinaus laufen alle Prozesse in einem System ab, was die Anzahl der benötigten Systeme und die Automatisierung reduziert und den Einsatz von Kassetten vermeidet.